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BAV102 — High Voltage, General Purpose Diode
? 1997 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
Rev. 1.1.0 2
Electrical Characteristics
Values are at TC
= 25°C unless otherwise noted.
Symbol Parameter Conditions Min. Max. Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 100
μA200V
VF
Forward Voltage
IF
= 100 mA 1.00 V
IF
= 200 mA 1.25 V
IR
Reverse Current
VR
= 150 V 100 nA
VR
= 150 V, T
A
= 150
°C100μA
CTTotal Capacitance VR
= 0, f = 1.0 MHz 5.00 pF
trr
Reverse Recovery Time
IF = IR
= 30 mA, I
RR
= 1 mA
RL
= 100
Ω
50 ns
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